100W/인치^3 폼팩터가 가능한 인피니언의 새로운 MOSFET 400V

출처 : https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2024/INFPSS202405-106.html

Infineon unveils CoolSiC™ MOSFETs 400 V redefining power density and efficiency in AI server power supplies - Infineon Technol

 

 

[일부 내용 발췌]

독일 뮌헨 – 2024년 5월 27일 – 인공지능(AI) 프로세서의 전력 요구 사항이 증가함에 따라 서버 전원 공급 장치(PSU)는 정의된 서버 랙 크기를 초과하지 않으면서 점점 더 많은 전력을 공급해야 합니다. 이는 10년 안에 칩당 2kW 이상을 소모할 수 있는 고수준 GPU의 에너지 수요 급증에 따른 것입니다. 이러한 요구 사항과 점점 더 까다로워지는 애플리케이션의 등장 및 이와 관련된 특정 고객 요구 사항으로 인해 Infineon Technologies AG(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)는 SiC MOSFET 개발을 650V 미만의 전압으로 확장하기로 했습니다. 이 회사는 이제 새로운 CoolSiC™ MOSFET 400V 제품군을 출시합니다. 이 제품군은 다음을 기반으로 합니다. 올해 초에 도입된 2세대(G2) CoolSiC 기술. 새로운 MOSFET 포트폴리오는 AI 서버의 AC/DC 단계에서 사용하기 위해 특별히 개발되었습니다. Infineon의 최근 발표된 PSU 로드맵을 보완. 이 장치는 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS), 인버터 모터 제어, 산업 및 보조 전원 공급 장치(SMPS)는 물론 주거용 건물용 솔리드 스테이트 회로 차단기에도 이상적입니다.

"Infineon은 AI 서버 전원 공급 장치의 까다로운 설계 및 공간 요구 사항을 충족하기 위해 광범위한 고성능 MOSFET 및 GaN 트랜지스터 포트폴리오를 제공합니다." Infineon의 Power Systems Business Line 책임자인 Richard Kuncic이 말했습니다. "우리는 고급 AI 애플리케이션에서 최고의 에너지 효율을 달성하기 위해 CoolSiC MOSFET 400 V G2와 같은 고급 제품으로 고객을 지원하기 위해 최선을 다하고 있습니다."

새로운 제품군은 기존 650V SiC 및 Si MOSFET과 비교했을 때 매우 낮은 전도 및 스위칭 손실을 특징으로 합니다. 다중 레벨 PFC에서 구현된 AI 서버 PSU의 AC/DC 단계는 100W/in³ 이상의 전력 밀도를 달성할 수 있으며 99.5% 효율에 도달하는 것으로 입증되었습니다. 이는 650V SiC MOSFET을 사용하는 솔루션보다 0.3% 포인트의 효율 향상입니다. 또한 DC/DC 단계에 CoolGaN™ 트랜지스터를 구현하여 AI 서버 PSU의 시스템 솔루션이 완성됩니다. 고성능 MOSFET과 트랜지스터의 이러한 조합으로 전원 공급 장치는 현재 솔루션에 비해 전력 밀도가 3배 이상 증가하면서 8kW 이상을 공급할 수 있습니다.

새로운 MOSFET 포트폴리오는 총 10개의 제품으로 구성되어 있습니다. 11~45mΩ의 5개 R DS(on) 클래스는 .XT 패키지 상호 연결 기술이 적용된 켈빈 소스 TOLL 및 D²PAK-7 패키지입니다. T vj = 25°C에서 400V의 드레인-소스 항복 전압은 2레벨 및 3레벨 컨버터와 동기 정류에 이상적입니다. 이 구성 요소는 혹독한 스위칭 조건에서 높은 견고성을 제공하며 100% 애벌런치 테스트를 거쳤습니다. .XT 상호 연결 기술과 결합된 매우 견고한 CoolSiC 기술은 이 장치가 AI 프로세서의 전력 요구 사항의 갑작스러운 변화로 인해 발생하는 전력 피크 및 과도 전류에 대처할 수 있도록 합니다. 연결 기술과 낮고 양의 R DS(on) 온도 계수는 모두 접합 온도가 더 높은 작동 조건에서 뛰어난 성능을 발휘할 수 있게 합니다.